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RSB6.8G
Diodes
ESD Protection diode
RSB6.8G
Application
External dimensions (Unit : mm)
Land size figure (Unit : mm)
ESD Protection, bi direction
Features
1) Ultra small mold type. (VMD2)
2) High reliability.
3) Bi chip-mounter, automatic mounting
is possible.
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
dot (year week factory)
Taping specifications
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Parameter
Peak pulse power-1(tp=10×1000 μ S)
Power dissipation (*1
Junction temperature
Storage temperature
Operating temperature
Symbol
Ppk
P
Tj
Tstg
Topr
Limits
10
100
150
-55 to +150
-55 to +150
Unit
W
m W
Electrical characteristics (Ta=25 C, Rating of per diode)
Parameter
Symbol Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Zener voltage
R everse current
C apacitance between terminals
V Z
I R
Ct
5.78
-
-
-
-
15
7.82
0.50
-
V
μ A
pF
I Z =1mA
V R =3.5V
V R =0V , f=1MHz
Rev.A
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